半導體
是指一種導電性可受控制,範圍可從絕緣體至導體之間的材料。
三種導電性不同的材料比較,金屬的價電帶與導電帶之間沒有距離,因此電子(紅色實心圓圈)可以自由移動。絕緣體的能隙寬度最大,電子難以從價電帶躍遷至導電帶。半導體的能隙在兩者之間,電子較容易躍遷至導電帶中。
半導體導電原理
半導體通過電子傳導或電洞傳導的方式傳輸電流。
電子傳導的方式與銅線中電流的流動類似,即在電場作用下高度電離的原子將多餘的電子向著負離子化程度比較低的方向傳遞。
電洞導電則是指在正離子化的材料中,原子核外由於電子缺失形成的「電洞」,在電場作用下,電洞被少數的電子補入而造成電洞移動所形成的電流(一般稱為正電流)。
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雜質半導體
材料中載子(carrier)的數量對半導體的導電特性極為重要。這可以通過在半導體中有選擇的加入其他「雜質」(IIIA、VA族元素)來控制。
如果我們在純矽中摻雜(doping)少許的砷或磷(最外層有5個電子),就會多出1個自由電子,這樣就形成N型半導體。
如果我們在純矽中摻入少許的硼(最外層有3個電子),就反而少了1個電子,而形成一個電洞(hole),這樣就形成P型半導體(少了1個帶負電荷的原子,可視為多了1個正電荷)。
為何半導體材料要選擇矽?
•半導體工業約在1950年開始發展,以鍺材料為主, 但1960年代後矽就取代了鍺的地位
• 矽(Si)可從地殼中最豐富的元素(SiO2)純化提煉
• 熱製程中容易生成SiO2, 為一強且穩定的介電層
• 矽的氧化物不溶於水
• 矽擁有較大的能隙, 能承受較高溫度及較大雜質摻雜範圍
• 矽的崩潰電壓比較高
晶圓(Wafer)
是指矽半導體積體電路製作所用的矽晶片,由於其形狀為圓形,故稱為晶圓,是最常用的半導體材料。
晶圓越大,同一圓片上可生產的積體電路(integrated circuit, IC)就越多,可降低成本,但對材料技術和生產技術的要求更高。
臺灣半導體產業
國內IC 產業發展與國外最大不同點在於以IC 設計、IC 製造及IC 封裝、測試為主體的專業分工之產業結構,形成異於其他IC先進國家的特色。
• 專業分工:
指一個IC產品,從設計、製造到封裝、測試,分別由不同的廠商負責完成。
• 整合元件製造商 (簡稱為IDM):
從設計、製造到封裝、測試,這些流程皆可一手包辦。